CDBV6-54SD-G_SOT-363_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:30V 参数3：VF:1V 参数4：IR:2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用2对串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V，正向压降（VF）典型值为1V，反向漏电流（IR）低至2μA，最大正向浪涌电流（IFSM）为0.2A。其串联配置适用于需要较高反向耐压的低压整流或信号检波场合，低VF有助于提升能效，而微小的IR则保障了良好的关断特性，适合对功耗和空间有严格限制的便携式电子设备或精密电路中使用。
