NVD4810NT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7毫欧。其低导通电阻有效降低导通损耗，有助于提升系统整体效率。适用于高电流、高频率运行的电源转换电路、电池管理系统以及便携式设备中的功率开关应用。器件在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和较低的温升，适合对空间和散热有严格限制的紧凑型电子设计。
