MBRS3100T3G-HXY_SMC_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMC 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及对效率与热管理有要求的电子电路中。
