SIRA18DDP-T1-UE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、60A的连续漏极电流（ID），以及仅5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合在大电流工作条件下维持较高的能效。常用于高效率开关电源、大功率便携设备、电动工具驱动电路及需要频繁开关操作的电子系统中，能够支持高密度布局并提升整体热稳定性。
