IRF8721TRPBF_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7.5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，在高频率开关应用中表现稳定。适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电池保护及各类便携式电子设备中的功率转换环节。器件结构优化了开关特性，兼顾快速响应与低能耗，适合需要高效能开关元件的电路设计。
