AON7518_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为35A，漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在中等功率开关应用中具备良好的导通特性和较低的导通损耗，适用于电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器及各类电子负载控制场合。其低RDS(ON)有助于提升能效并减少发热，配合标准逻辑电平驱动即可实现稳定工作，在注重空间与效率的电路设计中具有实用价值。
