SI4880DY-T1-E3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。在导通状态下，较低的电阻值有助于减少功率损耗与发热，提升整体能效。器件适用于对效率和热性能敏感的电源管理、便携式电子设备以及高频开关电路等场景，能够在紧凑布局中维持良好的电气性能与稳定性。
