NTMFS4921NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效和热稳定性。该器件适合用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类对开关性能和导通损耗敏感的电子设备中，在频繁开关或大电流运行条件下均能保持良好性能。
