MBR210AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在保证高效导通的同时降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达50A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对瞬态电流有一定要求的电源整流、开关模式电源及各类低压高频电路中，具备良好的热稳定性和快速恢复特性。
