AOD518_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通状态下的功率损耗，适合用于高电流、高效率要求的电源管理场景。典型应用包括服务器电源、高性能计算设备中的多相VRM模块、电池管理系统以及大功率负载开关等场合。器件在高频开关条件下仍能保持良好的热性能和稳定性，有助于提升整体系统能效与可靠性。
