DMT3009UFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于中低电压应用场景中的开关与功率控制功能，例如电源转换、负载开关及便携式设备中的高效能管理模块，能够满足对热性能和能效有较高要求的设计需求。
