STS14N3LLH5-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于在高电流条件下减少功率损耗，提升系统效率。适用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路及高频开关应用等场景，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
