DMN3010LFG-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件结构优化了开关特性，在高频操作下仍能保持良好的动态响应与稳定性。
