SISA12ADN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.9毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率，并减少散热需求。该器件适用于高电流、高效率要求的电源转换与配电场合，尤其在需要频繁开关或持续大电流工作的电子系统中，能够稳定可靠地执行功率控制功能。
