NVD4809NT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。在中高电流应用场景中，其较低的导通电阻有助于有效抑制导通损耗，提升整体能效。适用于开关电源、电池供电系统及各类高效功率转换电路，能够在高频操作下维持良好的热稳定性和开关特性，满足对空间和效率有要求的电子设计需求。
