VSMBRS360-M3/9AT-HXY_SMC_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMC 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。
