AOD200_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为5毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。器件适用于高电流开关应用，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等场景，在高频或大电流工作条件下仍能维持稳定可靠的性能表现。
