NTTFS4C13NTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高频率或大电流工作条件下仍能保持良好的热性能。适用于电源管理模块、电机驱动电路以及各类需要高效功率开关功能的电子系统，能够支持紧凑布局并提升整体能效表现。
