SI4884BDY-T1-E3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为15A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。凭借较低的导通电阻，器件在导通状态下功耗较小，有助于提升整体能效。适用于需要高效功率开关的场合，如电源管理模块、电池供电设备及各类电子负载控制电路，能够在频繁开关条件下保持稳定工作性能。
