RBR3LAM40CTR-HXY_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具备3A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断能力。该器件适用于高频整流、低压电源转换、便携设备中的电源管理以及对效率和热性能敏感的电子电路，能够有效支持系统在高频率或低电压条件下的稳定运行。
