BSO083N03MSGXUMA1-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为15A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升，提升系统效率。其电气特性适用于高频开关场景，常见于电源转换、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路，能够支持紧凑型设计与高能效运行。
