MBR10200CTF-G1-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:200V 参数3：VF:1.2V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备优异的浪涌承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达120A。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中，兼顾效率与可靠性。
