MBR20150SCT-G1-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:150V 参数3：VF:0.92V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为150V。其正向压降（VF）为0.92V，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）低至20μA，展现出良好的反向截止性能。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。
