MBR310AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:300uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该肖特基二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为300μA。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源保护等电路场合。
