AON7524_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻仅为2.5毫欧。其极低的RDS(ON)显著降低导通状态下的功率损耗，适合高效率、大电流的开关应用场景。在电源转换、电池管理系统以及高功率便携设备中，能够提供优异的热性能与电气稳定性，满足对紧凑布局和高效能运行的需求。
