CSD17578Q3AT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6mΩ，最大栅源电压（VGS）为20V。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于高效电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够在高频应用场景下保持良好的电气性能与稳定性。
