NTMS4807NR2G-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于在导通状态下减少功率损耗，提升系统效率。该器件适用于对能效和热管理有一定要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场景，在紧凑型电子设备中可提供稳定的功率处理能力。
