RQ3E180GNTB-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流密度的电源转换、电池供电系统以及需要高效能量传输的电子装置。器件在高频开关条件下仍能保持良好的动态特性，适合对效率和热管理有严格要求的应用场合。
