DMT35M1LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于高效率电源管理、同步整流、电机控制及高频开关电路等场合，在紧凑型电子设备中可实现优异的热性能与电气性能平衡。其参数特性支持在高电流密度下稳定运行，满足对空间和效率敏感的设计需求。
