S320_SMB_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.95V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为0.95V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的浪涌电流承受能力，最大正向不重复浪涌电流（IFSM）可达70A。凭借较低的导通压降与良好的反向阻断特性，适用于对效率和热管理有较高要求的电源整流、开关模式电源输出级以及各类高频整流场合。
