STD60NF3LLT4-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻为7毫欧，在常规驱动电压下可实现高效导通。其电气特性适合用于中等功率的电源管理、电池保护电路以及高频开关应用。较低的导通电阻有助于控制温升并提升系统能效，适用于对体积和热性能有一定要求的电子设备中的功率开关或同步整流功能。
