IRF8714GTRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在低电压、中等电流条件下表现出优异的导通性能，适用于高效率电源转换、便携式设备供电系统以及各类开关电路。其低导通电阻有助于降低功耗与温升，提升整体系统能效，适合对空间和热管理有要求的应用场合。
