SIS472ADN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其电气特性适合在中等功率的开关应用中使用，能够在保持较低导通损耗的同时有效控制温升。该器件适用于对空间和效率有一定要求的电源转换系统，如便携式电子设备的供电模块、电池管理系统以及各类高效率直流-直流变换器中，能够支持稳定可靠的开关操作。
