IRF8721GTRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于在开关和导通状态下减少功率损耗，适用于对效率和热性能有要求的电源管理、电池供电系统及高频开关电路。器件结构支持快速开关操作，在紧凑型电子设备中可有效提升能效与可靠性。
