AO4446_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于在开关和导通状态下减少功率损耗，提升系统效率。适用于对体积和能耗敏感的电源管理模块、便携式电子设备以及中等功率的开关电路。器件在高频操作下表现出良好的稳定性，适合用于需要高效能与紧凑设计相结合的电子系统中。
