RBR3L40CDDTE25-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流为500μA。器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于电源整流、极性保护、续流路径以及高频开关等电路场合，能够在兼顾效率与可靠性的基础上满足多种电子系统的设计需求。
