SIRA88DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5.7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，在高电流开关应用中表现优异。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场合，可广泛用于电源管理、电机驱动及各类高效能电子系统中的功率控制环节。
