IRFH8330TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7mΩ。凭借极低的导通阻抗，器件在大电流工作条件下能有效降低功率损耗与温升，适用于高效率电源转换、电池管理及负载开关等应用。其电气特性支持快速开关动作，在紧凑型电子系统中可实现良好的热性能与稳定运行。
