SSFD3906_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率并减少散热需求。适用于对电流密度和能效要求较高的中低压电源管理、电池供电设备及高频率开关电路等应用场景，能够在紧凑布局中维持稳定可靠的开关性能。
