NTMFS4833NST1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的RDS(ON)显著减小导通损耗，适用于高效率、大电流的电源管理与功率转换场合，如服务器电源、电池管理系统及高性能计算设备中的负载开关。器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关特性，有助于提升整体电路效率与可靠性。
