CDBA2100-G_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；在最大反向电压条件下，反向漏电流（IR）不超过100μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、充电器及各类消费类电子设备中。
