RQ3E120GNTB-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为6毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于高效率电源转换、电机控制以及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够有效支持紧凑型设计和热管理优化。
