AONS36308_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）低至4.3毫欧，栅源电压（VGS）额定最大值为20V。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流应用场景中提升能效表现。适用于电源转换、电池管理系统、电机驱动及大电流开关电路等场合，能够有效支持高频开关操作并维持较低温升，满足对功率密度和热性能有较高要求的设计需求。
