XP3N9R5AH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。在中等电压应用场景中，其较低的导通电阻有助于控制导通损耗，维持较高的能效水平。适用于对电流承载能力和热稳定性有要求的电路，如开关电源、电池充放电管理、电动工具控制器及各类高效率功率转换装置，可支持稳定可靠的高频开关操作。
