FDMS8672AS_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:90A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET支持90A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其极低的RDS(ON)有效减少导通损耗，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制、电池充放电系统及各类紧凑型电子设备中，能够在高频开关条件下保持良好的热稳定性和电气性能。
