BSC079N03LSCGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有50A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6.5毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及开关电路等场景。器件结构优化了开关特性，在高频操作下仍能保持良好的动态响应，适合用于紧凑型高效率电子系统中。
