AON7566_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至2.9毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源管理场景。器件结构支持快速开关操作，在高频率工作条件下仍能保持稳定性能，适合用于各类高效能电子系统中的功率转换与控制环节。
