AOD522P_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。其极低的导通电阻有效减少了在大电流工作状态下的功率损耗与温升，适用于高效率电源转换、电机驱动、电池保护及大电流开关电路等应用场合。器件在高频开关操作中仍能保持良好的性能稳定性，适合对能效和热管理有严格要求的电子系统。
