RBR3L60ADDTE25-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降为0.7V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于电源整流、极性保护以及高频开关等电路场合，能够在有限空间内实现高效、稳定的运行。
