IRF8113TRPBF-1_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有18A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电池供电设备及各类高效开关电路中。器件结构优化了开关特性，适合高频应用场景，同时具备良好的线性区控制能力，便于在模拟或混合信号环境中实现精确调节。
